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武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产

2020-06-05 21:24广播收听 人已围观

简介目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。 据了...

  目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。

  据了解,武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破,随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升,武汉新芯用了18个月。

  Flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列XM25QWxxC,容量覆盖16兆到256兆。性能测试显示,在1.65伏至3.6伏电压范围内,该系列NOR Flash存储芯片的工作频率可达133兆赫,即使在零下40或105这种极端温度下,依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达10万次,数据保存时间长达20年。

  研发人员介绍,作为NOR Flash存储芯片中的“闪电侠”,该芯片在连续读取模式下,能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期,即可读取24位地址。

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Tags: 武汉 

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